Společnost Samsung dnes oznámila, že dokončila testování funkčnosti a validaci první průmyslové řady čipu LPDDR5 DRAM s kapacitou 8 gigabitů.
Samsung říká, že prototypový čip se může pochlubit datovou rychlostí až 6,4 Gb/s, která je 1,5 krát rychlejší než LPDDR4X DRAM použitý v iPhone X a dalších iPhonech. Čip má také zcela nový režim spánku a další funkce, které snižují spotřebu energie až o 30 procent. AnandTech má dobrý přehled o technických detailech čipu. Budoucí iPhony budou mít ještě rychlejší a výkonnější paměť. To by znamenalo také maximální výkon a prodlouženou životnost baterie, což je jistě dobrá zpráva. Společnost Samsung uvedla, že plánuje zahájit hromadnou výrobu svých čipů DRAM nové generace, včetně tohoto, ale neuvedla, kdy. Společnost Apple v současné době využívá čipy DRAM od několika dodavatelů, včetně Samsungu, SK Hynix a Micron, které se liší podle modelu iPhonu.
